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高溫柵偏

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設備:高溫柵偏測試系統(tǒng)HTXB GR3-D

廠商:閱芯科技

用途:要用于功率半導體器件的環(huán)境老化試驗,比如 Si/SiC/GaN 材料的 IGBT/DIODE/MOSFET/HEMT/BJT/SCR 等器件的 HTGB 試驗,用于測定柵氧本身及相關界面的可靠性。

測試標準:GJB128A-1997方法1042條件B穩(wěn)態(tài)柵偏置;MIL-STD-750F Method 1038 Test condition B;JESD22-A108D  Temperature,Bias,and Operating Life

技術指標:

l  最大工作電壓2000V

l  測試溫度:-20-180

l  IGES檢測范圍:0-2000nA,分辨率0.01nA


  • 地址:廣東省東莞市松山湖國家高新區(qū)總部一號12棟5樓

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